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合肥科晶 高真空磁控濺射頭型號(hào):( HVMSS-SPC-1-LD 1英寸高真空磁控濺射頭)
更新時(shí)間:2024-01-16
合肥科晶 高真空磁控濺射頭( HVMSS-SPC-1-LD 1英寸高真空磁控濺射頭)
產(chǎn)品概述:
HVMSS-SPC-1-LD是一款磁控濺射頭,可安裝直徑為1英寸的靶材??膳c直流、脈沖直流和射頻電源相匹配,以至于可以濺射各種靶材(如金屬、陶瓷、磁性和非磁性靶材等)。而且高真空的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),可提高鍍膜質(zhì)量。
合肥科晶 高真空磁控濺射頭
特點(diǎn):
· 采用高質(zhì)量的不銹鋼和陶瓷材料制作
· 采用電磁場(chǎng)的有元計(jì)算法來(lái)設(shè)計(jì)永磁體,以得到較高的磁場(chǎng)強(qiáng)度和均強(qiáng)場(chǎng)分布
· 磁體表面涂有一層保護(hù)層,以防止冷卻水的腐蝕,延長(zhǎng)其使用壽命
· 標(biāo)準(zhǔn)的HN型接頭,可與DC和RF電源相匹配
· 安裝是采用標(biāo)準(zhǔn)真空接頭,便于操作
· 更換靶材較為簡(jiǎn)單,無(wú)需調(diào)整濺射頭的高度
配有一塊銅靶
合肥科晶 HVMSS-SPC-1-LD 1英寸高真空磁控濺射頭
濺射頭:
· 濺射頭的直徑:46.3mm
· 所用靶的直徑:1.0 ± 0.02"(25.4mm)
· 靶材的大厚度: 1/8" (3mm)
· 磁環(huán):NdFeB稀土永磁鐵
桿的直徑:3/4" O.D.
所需功率:
DC (大) 250 W
RF(大)100 W
大陰極濺射電流:3A
陰極濺射電流:200-1,000 V
可選壓力范圍:~1 mTorr 至1 Torr
濺射厚度均勻性圖:
· 注意:此圖是采用磁控濺射得的到一個(gè)200nm的薄膜,所用靶材為1英寸的銅靶。薄膜是沉積在氧化的硅片上,實(shí)驗(yàn)參數(shù)為:
· 功率:直流150W
· 真空環(huán)境:10mTorr(Ar)
靶材與基片的距離:75mm
水冷卻:
· 所需水流量: 1/2 GPM
· 進(jìn)水溫度:<20 ℃
水管接頭:0.25" O.D快插頭
接頭:
· 電路連接接頭:標(biāo)準(zhǔn)的HN型接頭,可與DC和RF電源相匹配
· 本公司會(huì)贈(zèng)送一高真空快速接頭
· 此快速接頭的內(nèi)徑為0.75",可將濺射頭安裝在真空腔體上,真空腔體上的安裝孔直徑為1英寸,真空腔體的壁厚不得大于1英寸
產(chǎn)品長(zhǎng)度:14英寸(355.6mm)
產(chǎn)品重量:1.36kg
傾斜裝置:
· 濺射頭相對(duì)于桿大可傾斜+/- 45度
· 傾斜裝置上有刻度線,可觀察到靶頭傾斜的角度
可選配件:
· 循環(huán)水冷機(jī),流量為16L / min ,水箱容積為6L
本公司可提供各種配件可與HVMSS-SPC-1-LD配套,讓客戶自己搭建磁控濺射儀
應(yīng)用:
· 在真空腔體中HVMSS-SPC-1-LD磁控濺射頭可制作各種薄膜,下面是一些應(yīng)用:
· 薄膜涂覆
· 半導(dǎo)體器件
· 磁記錄介質(zhì)
· 超導(dǎo)薄膜
· 量子計(jì)算器件
· MEMS
· 生物傳感器
· 納米技術(shù)
· 超晶格
· 顆粒膜
· 記憶合金
· 組合薄膜沉積
光學(xué)薄膜
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